Optimal eingerichtet?

  • #1
H

Heckscher

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Mosche leutz

Ich wollt mal fragen ob meine Kiste vom Bios her und von den Einstellungen optimal läuft oder was man da noch verbessern kann ohne gleich alles massig zu übertakten.

Also hier  n paar Daten:

Motherboard:

M7VIT Grand
Chipset: KT600 / VT8237
Details:
FSB400, DDR400, AGP 8x, 5PCI,CNR, 2DDR, ATA-133, USB2.0,SATA/RAID, 6-ch Audio, Lan

CPU:

AMD AthlonXP 3200+  (hat der immer 400MHz FSB?)
Läuft bei mir mit 2.20 GHz is das korrekt oder zuwenig?

RAM
2 mal 512 MB DDR-SDRAM einer von Kingston der andere von keine Ahnung den Kingston hab ich dazugekauft

Genaue beschreibung von dem dazugekauftem:
KingRam DDR PC400 512MB CL3 OEM Arbeitsspeicher

So dann hab ich mir mal mein Bios angeschaut, könnt ihr mir sagen ob das so gut eingestellt ist oder was ich vielleicht verändern sollte??

Current FSB Frequenzy = 200MHz
Current DRAM Frequenzy = 200MHz
Current DDRFrequenzy = 400 MHz

DRAM Clock = by SPD weitere Einstellungsmöglichkeiten--> 133, 166, 200
DRAM Timing= Auto by SPD weitere Einstellungsmöglichkeiten--> Manual, Turbo, Ultra
DRAM Burst Length = 4 weitere Einst. ->8
DRAM Queue Depth = 3 Level weitere Einst. ->2 Level ,4 Level
DRAM Command Rate = 2T weitere Einst. -> 1T
Write Recovery Time = 3T weitere -> 2T
tWTR = 2T weitere ->1T

Hmm ich glaub es wäre noch interessant zu wissen was mein 2ter RAM-Baustein für Werte hat, leider bin ich zurzeit auf der Arbeit kann also erst später kuckn, ich denke mit Sandra 2004 kann ich des auslesen oder?

Für evtl folgende Fragen hier mein System nochmal:
Mainbord:
M7VIT Grand
Chipset: KT600 / VT8237
Details:
FSB400, DDR400, AGP 8x, 5PCI,CNR, 2DDR, ATA-133, USB2.0,SATA/RAID, 6-ch Audio, Lan

CPU:
AMD AthlonXP 3200+ 

Grafikkarte:
ATI Radeon X800SE 256MBRAM

2 mal 512 MB DDR-SDRAM
 
  • #2
hi soweit ist alles ok den ram kannst du genau z.b mit AIDA auslesen
Link:


wenn sich da raus stellt, dass der natürlich besser laufen kann dann kannst die einstellungen im bios verschärfen und somit emhr performance aus dem pc holen
 
  • #3
Hm bei allround is der downloadlimit erreicht schade.

OK hab mal Sandra laufen lassen und diese Einstellungen gefunden:

Logical/chipsatz 1 Memory Banks
Bank0-Bank3:
256MB DDR-SDRAM 3.03-3-7CL 2CMD

Somit hab ich wohl entweder beim dazukaufen alles richtig gemacht, wenn sandra das anzeigt wasdie RAMs können, oder Sandra zeigt an was ich gerade für einstellungen laufen hab, aber das nehm ich mal nicht an.

Kann man was an den anderen Sachen vielleicht ändern?

Bank Interleave = 4WAY
Multiplier = 1/1x
Width = 64-bit
Power Save Mode = NO
Fixed Hole Present = NO

Achja un da unten steht ne WARNING:

Tip T100 - Large memory systems (1GB or greater) should use Registered/Buffered memory, especially if more than 2 are installed on the same channel. This improves signal quality by reducing the load on the chipset channel. While these modules add an extra clock delay due to the on-board buffers (thus CL2 effectively becomes CL3), the stability will be worth it. Server chipsets with many memory slots generally require Registered memory.
Fix: If you plan on adding more memory, consider replacing the modules with Registered/Buffered modules. Do note that you cannot mix Unbuffered and Registered/Buffered modules on the same channel, but you may be able to if the chipset has multiple memory channels.

Sollte ich Registered/Buffer benutzen? Wenn ja wie?

Wie immer vielen dank für die Antworten :)
 
  • #4
also so wie ich das sehe ist der speicher, der beriets im system drin war besser da CL2 und weil der neue nur für CL3 ausgelegt ist, ist es nicht ratsam die speichertimings zu ändern. dies könnte sonst Instabilitätn zur Folge haben.
 
  • #5
Hier mal kurz eine Erklärung wie die Timmings sich auf die Preformance auswirken bzw. was sie bedeuten!!

RAS-to-CAS-Delay (tRCD): Die Zeit, die vergeht, bis die Zeile ausgelesen und in einen Art Zwischenspeicher gelegt wird, damit die Einträge in der Zeile anschließend weiterverarbeitet werden können, nennt man RAS-to-CAS-Delay

CAS Latency (CL): Die Zeit, die vergeht, bis die Spalte ausgelesen wird und (und somit die genau Speicherzelle lokalisiert wird) in das Ausgabenregister gelegt wird, nennt man CAS Latency (CL).

Nach diesen Vorgängen liegen die Daten dem Prozessor bereit!

Page Hit + Page Miss (Da fast nie nur eine Zelle ausgelesen werden muss, sondern Bereiche)

Hit: Die nächste Zelle befindet sich in der selben Zeile --> tRCD entfällt
Miss: Die nächste Zelle befindet sich nicht in der selben Zeile --> Auslesevorgang beginnt erneut ?

RAS Active Time (t_RAS): ? Bevor nun eine neue Zeile ausgelesen werden kann, muss die aktuelle Zeile zurückgeschrieben und sozusagen deaktiviert werden. Diesen Prozess nennt man RAS Active Time.

Precharge-Time (t_RP):  Datenleitungen werde auf ein höheres Spannungspegel aufgeladen.
t_RP und t_RAS können somit Zusammengefasst werden und als Rückschreibe- und Vorbereitungsmaßnahmen beschreiben werden, die bei einem Page-Miss durchgeführt werden müssen. Diesen Vorgang fasst man unter t_RC zusammen



SPD:  Anhand der SPD (Serial Presence Detect) werden die Timings im BIOS automatisch gesetzt.
Möchte man die Einstellungen selbst vornehmen, muss man SPD im BIOS deaktivieren.




Vieleicht hilft die meine Erklärung ein wenig weiter!!
MfG
 
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